Kuna aina mbili kuu za DMOS, wima iliyoenezwa mara mbili ya oksidi semiconductor athari ya transistor VDMOSFET (MOSFET wima iliyoenezwa mara mbili) na lateral iliyogawiwa mara mbili ya oksidi ya semiconductor athari ya transistor LDMOSFET (MOSFET ya baadaye-mbili iliyochanganywa MOSFET). LDMOS inakubaliwa sana kwa sababu ni rahisi kuendana na teknolojia ya CMOS. LDMOS
LDMOS (semiconductor ya oksidi ya chuma iliyosambazwa baadaye)
LDMOS ni kifaa cha nguvu na muundo uliotawanyika mara mbili. Mbinu hii ni kupandikiza mara mbili katika eneo moja la chanzo / kukimbia, upandikizaji mmoja wa arseniki (As) na mkusanyiko mkubwa (kipimo cha kawaida cha kupandikiza 1015cm-2), na upandikizaji mwingine wa boroni (na mkusanyiko mdogo (kipimo cha kawaida cha 1013cm-2)). B). Baada ya kupandikizwa, mchakato wa joto la juu hufanywa. Kwa kuwa boroni hutawanyika haraka kuliko arseniki, itasambaa zaidi kando ya mwelekeo wa chini chini ya mpaka wa lango (P-vizuri kwenye takwimu), ikitengeneza kituo na gradient ya mkusanyiko, na urefu wa kituo chake Imedhamiriwa na tofauti kati ya umbali huo wa usambazaji wa pande mbili . Ili kuongeza voltage ya kuvunjika, kuna mkoa wa kuteleza kati ya eneo linalofanya kazi na mkoa wa kukimbia. Eneo la kuteleza katika LDMOS ndio ufunguo wa muundo wa aina hii ya kifaa. Mkusanyiko wa uchafu katika eneo la drift ni duni. Kwa hivyo, wakati LDMOS imeunganishwa na voltage kubwa, mkoa wa drift unaweza kuhimili voltage ya juu kwa sababu ya upinzani wake mkubwa. LDMOS ya polycrystalline iliyoonyeshwa kwenye Mtini. 1 inaenea kwa oksijeni ya uwanja katika eneo la drift na hufanya kama sahani ya shamba, ambayo itapunguza uwanja wa umeme wa uso katika mkoa wa drift na kusaidia kuongeza voltage ya kuvunjika. Ukubwa wa bamba la shamba linahusiana sana na urefu wa sahani ya shamba [6]. Ili kuifanya sahani ya shamba ifanye kazi kikamilifu, lazima mtu atengeneze unene wa safu ya SiO2, na pili, urefu wa sahani ya shamba lazima iwe iliyoundwa.
Kifaa cha LDMOS kina sehemu ndogo, na mkoa wa chanzo na eneo la kukimbia huundwa kwenye substrate. Safu ya kuhami hutolewa kwa sehemu ya sehemu ndogo kati ya eneo la chanzo na kukimbia ili kutoa kiunganishi cha ndege kati ya safu ya kuhami na uso wa substrate. Halafu, mshiriki wa kuhami hutengenezwa kwa sehemu ya safu ya kuhami, na safu ya lango imeundwa kwa sehemu ya mshirika wa kuhami na safu ya kuhami. Kwa kutumia muundo huu, inagundulika kuwa kuna njia iliyonyooka ya sasa, ambayo inaweza kupunguza upinzani wakati wa kudumisha voltage ya kuvunjika kwa juu.
Kuna tofauti mbili kuu kati ya LDMOS na transistors za kawaida za MOS: 1. Inachukua muundo wa LDD (au inayoitwa mkoa wa kuteleza); 2. Kituo kinadhibitiwa na kina cha makutano ya pande mbili za utaftaji.
1. Faida za LDMOS
• Ufanisi bora, ambao unaweza kupunguza matumizi ya nguvu na gharama za kupoza
• Utangamano bora, ambao unaweza kupunguza hitaji la usahihishaji wa ishara
• Boresha Impedans ya chini-chini ya mafuta, ambayo inaweza kupunguza saizi ya amplifier na mahitaji ya baridi na kuboresha kuegemea
• Uwezo bora wa nguvu ya juu, kiwango cha juu cha data ya 3G na kiwango kidogo cha makosa ya data
• Uzito mkubwa wa nguvu, kwa kutumia vifurushi vichache vya transistor
• Upunguzaji wa chini-chini, uwezo wa maoni na upeo wa lango la kamba, kwa sasa inaruhusu transistors za LDMOS kutoa 7 bB kupata uboreshaji kwenye vifaa vya bipolar
• Kutuliza chanzo moja kwa moja kunaboresha kupata nguvu na kuondoa hitaji la vitu vya kujitenga vya BeO au AIN
• Kupata nguvu nyingi kwenye masafa ya GHz, na kusababisha hatua chache za kubuni, muundo rahisi na wa gharama nafuu (kwa kutumia transistors ya gharama ya chini, ya nguvu ya chini)
• Utulivu bora, kwa sababu ya unyevu hasi wa joto la sasa, kwa hivyo hauathiriwi na upotezaji wa joto
• Inaweza kuvumilia hali mbaya ya mzigo (VSWR) bora kuliko wabebaji wawili, ikiboresha uaminifu wa matumizi ya shamba
• Utulivu bora wa RF, na safu ya kutengwa iliyojengwa kati ya lango na unyevu, ambayo inaweza kupunguza uwezo wa maoni
• Utegemezi mzuri sana kwa wakati unaofaa kati ya kufeli (MTTF)
2. Hasara kuu za LDMOS
1) Uzito mdogo wa nguvu;
2) Inaharibika kwa urahisi na umeme tuli. Wakati nguvu ya pato ni sawa, eneo la kifaa cha LDMOS ni kubwa kuliko ile ya aina ya bipolar. Kwa njia hii, idadi ya wanaokufa kwenye kaki moja ni ndogo, ambayo inafanya gharama ya vifaa vya MOSFET (LDMOS) kuwa juu. Eneo kubwa pia linapunguza nguvu bora ya kifurushi fulani. Umeme wa tuli kawaida unaweza kuwa juu kama volts mia kadhaa, ambayo inaweza kuharibu lango la kifaa cha LDMOS kutoka chanzo hadi kituo, kwa hivyo hatua za kupambana na tuli ni muhimu.
Kwa muhtasari, vifaa vya LDMOS vinafaa sana kwa programu zinazohitaji masafa anuwai, laini kubwa na mahitaji ya maisha ya huduma kama vile CDMA, W-CDMA, TETRA, na runinga ya ulimwengu ya dijiti.
bidhaa zetu nyingine:
